Erlangenen egoitza duen Fraunhofer IISB (Sistema Integratuen eta Gailuen Teknologiaren Institutua) eta Wettenbergen egoitza duen mikrouhin eta irrati-maiztasuneko plasma sistemen fabrikatzaile den PVA TePla AG enpresak beren espezializazioa bateratuko dute aluminio nitruro (AlN) kristalak ekoizteko laborategi bateratu batean.
Europako lehenengo aldiz, lankidetza honek 2 hazbeteko diametroa duten AlN substratu monokristalinoen ekoizpen txiki industriala ahalbidetzen du I+G helburuetarako. Horrek nabarmen hobetzen du AlN substratuen eskuragarritasuna Europan, eta horrek, aldi berean, bizkortzen du AlN oinarritutako gailu eta sistemen garapena eta aplikazio industrialetarako trantsizioa.
Aluminio nitruroa errendimendu handiko elektronikaren hurrengo belaunaldirako material itxaropentsuenetako bat da. Banda-tarte ultra-zabaleko (UWBG) erdieroale gisa, AlN-k aukera berriak irekitzen ditu fotonikan, potentzia elektronikan, maiztasun handiko elektronikan eta muturreko baldintzetan funtzionatzen duen elektronikan. Gaur arte, kalitate handiko, azalera handiko eta kostu-eraginkorreko AlN substratuen eskasiak AlN oinarritutako sistema elektronikoen garapena oztopatu du.
«Joint Lab-ekin, oinarriak ezartzen ari gara Europatik AlN substratuen hornidura fidagarria bermatzeko, eta horrela, hurrengo belaunaldiko AlN gailu errendimendu handikoentzako aukera berriak irekitzen ari gara», dio Sven Besendörfer doktoreak, nitruro materialen taldeko buruak eta Fraunhofer IISB-ko AlN materialen garapenaren arduradunak. «PVA TePlarekin batera, industria-kristalen hazkuntzan dugun esperientzia eskaintzen ari gara, eta horrela, aplikazio hormigoietara transferitzeko aurrebaldintzak sortzen ari gara».
Frogatutako ekipamenduen teknologiak prozesu-ezagutza jabedunarekin bat egiten du
Laborategi bateratuan, Fraunhofer IISBk bere PVT (lurrun-garraio fisikoa) prozesu-teknologia jabeduna erabiltzen ari da 2 hazbeteko AlN kristal masiboak ekoizteko. Prozesu honetan, AlN hautsa lurrundu egiten da 2000 °C-tik gorako tenperaturetan gurutze batean eta hazi-kristal baten gainean jartzen da. PVA TePlak PVT sistemak eskaintzen ditu horretarako, mundu osoan dagoeneko erabiltzen direnak 8 hazbeteko diametroko silizio karburo (SiC) kristaletarako eta orain bereziki egokitu direnak 2 hazbeteko AlN kristalen hazkuntzarako.
Fraunhofer IISB-k eskainitako prozesu-espezializazioari esker, PVA TePla taldeak bere instalazioetan kalitate konparagarriko AlN kristalak azkar ekoiztu ahal izan zituen. Laborategi Bateratuak 2 hazbeteko AlN kristalen ekoizpen egonkorrean jartzen du arreta. Ekoizpena pixkanaka handitzen ari da orain, prozesuaren egonkortasuna, erreproduzigarritasuna, errendimendua eta kostu-egiturak sistematikoki optimizatzeko.
«Aluminio nitruroarekin, SiC-ren ondorengo hurrengo teknologia belaunaldia moldatzen ari gara», dio Jan Pfeiffer doktoreak, PVA TePla-ko I+Gko presidenteordeak. «Joint Lab-aren bidez, gure ekipamenduen espezializazioa Fraunhofer IISB-ren prozesuen ezagutzarekin zuzenean konbina dezakegu, eta horrek gure bezero globalei merkatura bideratutako irtenbideak eskaintzeko aukera ematen digu hasierako fase batean», gaineratu du. «Gure helburu komuna AlN sektoreko merkatuaren garapena suspertzea da substratu egokien bidez, eta arlo honetan teknologia-bazkide gisa sartu nahi duten enpresei laguntzea, ekipamendu egokiarekin eta dagokion prozesuen espezializazioarekin».
Europako subiranotasun teknologikoa indartzea eskalatze industrialaren bidez
Laborategi Bateratuan ekoitzitako AlN kristalak Fraunhofer IISB-n prozesatzen dira epi-prest dauden AlN substratuetan, eta, Erlangen-en egoitza duen LZE GmbH ikerketa eta produktuen garapen enpresaren bidez, bereziki garapen industrial eta eskalatze prozesuetara eramaten dira. “Europako erdieroaleen subiranotasunerako, ezinbestekoa da material gako berriak ez garatzea bakarrik, baizik eta azkar eramatea aplikazio industrialetara eta balio eskalagarria sortzeko”, dio LZEko zuzendari nagusi Christian Forster doktoreak. “Aurrerapen teknologikoetarako duen merkatuarekin, LZE GmbH-k enpresei eta ikerketa erakundeei AlN substratuetarako sarbide global paregabe eta irekia eskaintzen die. Horrela, bolumen handiko merkatu industrialetarako aplikazio itxaropentsuak merkatura azkarrago iristen direla ziurtatzen laguntzen dugu”.
Argitaratze data: 2026ko uztailak 20